功率放大器
功率放大器的同义词反义词
gōng shuài/lǜ fàng dà/dài/tài qì能给负载提供足够大信号功率的放大器。其主要技术要求是要获得最大输出功率和较高效率,且失真须合乎要求。一般分谐振和非谐振的两类。根据晶体管集电极在信号周期内流通的时间又分甲、乙、丙等类。
助听器
助听器的同义词反义词
zhù/chú tīng qì辅助有残余听力的聋人提高听力的扩声装置。其工作原理为:传声器将接收到的声音转变为电信号,经过晶体管放大器放大,再经耳机将放大的电信号转变为声波。有盒式、佩带式、耳背式、微型耳道式等多种。
半导体三极管
半导体三极管的同义词反义词
bàn dǎo tǐ sān jí guǎn又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极,能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结,组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极b、发射极e和集电极c。
半导体光(热)电器件
半导体光(热)电器件的同义词反义词
bàn dǎo tǐ guāng (rè )diàn qì jiàn利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等;半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。
双极型集成电路
双极型集成电路的同义词反义词
shuāng jí xíng jí chéng diàn lù以双极型晶体管为基础的集成电路。采用硅平面工艺制成。特点为速度快、频率高、阈值电压低、稳定性好、负载能力强,但工艺较复杂。主要用于模拟集成电路。
基极
基极的同义词反义词
jī jí1. 由晶体管基区引出的电极。
失真
失真的同义词反义词
shī zhēn又称“畸变”。在放大电路中,输出信号波形形状不能重现输入信号波形形状的现象。信号频率范围内,系统的幅频特性不是常值,相频特性不成线性时造成的输出信号畸变称为“线性失真”;系统中由晶体管、变压器铁芯、扬声器等非线性元件造成的输出信号畸变称为“非线性失真”。
差分放大器
差分放大器的同义词反义词
chā fēn fàng dà qì由两个参数特性相同的晶体管用直接耦合方式构成的放大器。若两个输入端上分别输入大小相同且相位相同的信号时,输出为零,从而克服零点漂移。适于作直流放大器。
贝尔电话实验室
贝尔电话实验室的同义词反义词
bèi ěr diàn huà shí yàn shì美国的研究和发展公司。创建于1925年,负责改进电信设备和从事与军事有关的研究工作,总部在新泽西州的默里希尔。有大量技术发明和科学发现,如有声电影系统、电动数字计算机、物质的波动性、晶体管、宇宙微波背景辐射等。
超大规模集成电路
超大规模集成电路的同义词反义词
chāo dà guī mó jí chéng diàn lù简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成,故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时,硬件费用几乎可不计,而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方,管数达十亿个而线宽为0.1微米。