diàn yùn/yūn又称“电晕放电”。导体表面及其附近出现辉光并伴有咝咝声的放电现象。由于高压使气体或液体介质电离而产生。能引起电能损耗，并对通信和广播有干扰。但可用于静电除尘、污水处理、空气净化等方面。

diàn hé/hè ǒu hé/gě qì jiàn利用少数载流子在表面层势垒中存储和转移而制成的器件。由金属氧化物半导体电容阵列构成。有线阵和面阵两种。可作延迟线和移位寄存器，也可作模拟信号处理和存储用。在当前摄像头中几乎全部用电荷耦合器件。

diàn zǔ①导体对电流通过的阻碍作用。导体的电阻随长度、截面大小、温度和导体成分的不同而改变。电阻的单位是欧姆。②利用这种阻碍作用做成的元件。

diàn zǔ dìng lǜ确定导体电阻大小的定律。对于由同一材料制成的粗细均匀的导体，在温度一定时，其电阻r跟导体长度l成正比，跟导体的横截面积s成反比，即r=ρls。式中ρ与材料性质有关，称为电阻率。

duǎn lù①电路中电势不同的两点直接碰接或被阻抗（或电阻）非常小的导体接通时的情况。发生短路时电流强度很大，往往损坏电气设备或引起火灾。②〈方〉拦路抢劫。

cí gǎn yīng/yìng qiáng/qiǎng/jiàng dù/duó简称“磁感强度”。描述磁场对电流有作用力这一基本性质的物理量。是矢量。常用符号b表示。大小等于b=fil。式中l为载流导体的长度，i为电流强度，f为载流导体垂直于磁场放置时受到的磁场力。磁场中某处b矢量的方向就是该处的磁场方向。单位为特斯拉。

zì yóu diàn zǐ金属导体中的自由电荷。金属原子的外层电子(价电子)脱离原子核束缚后而成为自由电子。铜的自由电子密度为8.5×10^28/立方米。各种金属的自由电子密度有相同的数量级。n型半导体中的多数载流子是自由电子。

yàn diàn qì1.检验物体是否带电的仪器，通常是用两片极薄的金属箔固定在导体的一端，插在玻璃瓶里﹐另一端露在瓶外，带电体接近外露一端时﹐金属箔因带相同的电荷相互排斥而张开。

huáng kūn (1919- )物理学家。北京人。燕京大学毕业。英国布里斯托尔大学博士。中科院半导体研究所所长、中科院院士。第三世界科学院院士。主要在固体物理学领域进行开拓性工作。首先提出固体中杂质缺陷导致x射线漫散射理论，并为实验证实。著有《点阵动力学理论》(与玻恩合著)、《半导体物理学》(与谢希德合著)、《固体物理学》。

qǐ yè jīng yíng jī zhì企业生产经营过程中各个环节相互依存、相互制约的关系，以及赖以运行的方法、手段和机构的体系。在社会主义市场经济体制下企业经营机制的基本特征是：产权关系明晰，企业拥有包括各方出资者投资形成的全部法人财产权；企业依法自主经营，对出资者承担资产保值增值的责任；出资者按投入资本额享有所有者权益并对企业债务负有限责任；企业按市场经济原则组织生产经营，并建立科学的企业......更多