jīng tǐ/tī/bèn guǎn jīng tǐ/tī/bèn guǎn luó jí jí chéng diàn lù由多发射极晶体管作为“与门”，与倒相器兼跟随器串接，并最终推挽输出的逻辑集成电路。可构成各种逻辑关系。

hòu mó jí chéng diàn lù集成电路之一。采用厚膜工艺在玻璃和陶瓷基片上制作无源器件及其连线；有源器件则另行焊接在同一基片上，然后封装而成。厚膜工艺包括丝网印刷、烘干、烧结、喷涂等。特点为工艺简单，成本低，但体积较大。

bó mó jí chéng diàn lù集成电路之一。采用薄膜工艺在玻璃或陶瓷基片上制作电路元、器件及其接线，并加以封装而成。薄膜工艺包括蒸发、溅射、化学气相淀积等。特点为电阻、电容数值控制较精确，且数值范围宽，但集成度不高。主要用于线性电路。

jí chéng diàn lù在同一硅片上制作许多晶体管和电阻，并将它们联成一定的电路，完成一定的功能，这种电路称为集成电路。具有体积小，耐震，耐潮，稳定性高等优点。广泛应用于电子计算机、测量仪器和其他方面。

jí chéng diàn lù qiǎ智能卡。

shuāng jí xíng jí chéng diàn lù以双极型晶体管为基础的集成电路。采用硅平面工艺制成。特点为速度快、频率高、阈值电压低、稳定性好、负载能力强，但工艺较复杂。主要用于模拟集成电路。

fā/fà shè/yè/yì jí ǒu hé/gě luó jí jí chéng diàn lù晶体管导通时工作在非饱和区的一种逻辑集成电路。有“或”和“或非”两种输出。可构成各种逻辑关系。特点为开关速度快，甚至达亚毫微秒，但功耗大，抗干扰力差。

chāo dà guī mó jí chéng diàn lù简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成，故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时，硬件费用几乎可不计，而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方，管数达十亿个而线宽为0.1微米。

jīn shǔ/zhǔ yǎng huà/huā wù bàn dǎo tǐ/tī/bèn jí chéng diàn lù简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。

wēi xíng jì suàn jī简称“微型机”、“微机”，也称“微电脑”。由大规模集成电路组成的、体积较小的电子计算机。由微处理机(核心)、存储片、输入和输出片、系统总线等组成。特点是体积小、灵活性大、价格便宜、使用方便。